真空離子鍍膜是指在真空氣氛中利用蒸發源或濺射靶使膜材蒸發或濺射│◕··，蒸發或濺射出來的一部分粒子在氣體放電空間中電離成金屬離子│◕··，這些粒子在電場作用下沉積到基體上生成薄膜的一種過程 ☁✘▩↟╃。

      其原理如圖3所示 ☁✘▩↟╃。首先將鍍膜室壓力抽真空至 10 -3pa 以下│◕··，然後通入工作氣體使壓力增大至 10^0-10^-1pa│◕··，接入高壓☁✘▩↟╃。由於作為陰極的蒸發源接地│◕··，基體接入可調節的負偏壓│◕··，這時電源即可在蒸發源與基體間建立起低壓氣體放電的低溫等離子區;電阻加熱式蒸發源通電加熱膜材後│◕··，從膜材表面上逸出來的中性原子│◕··，在向基體遷移的過程中透過等離子體時│◕··，一部分原子由於與電子碰撞而電離成正離子;另一部分與工作氣體中的離子碰撞交換電荷後也可生成離子☁✘▩↟╃。這些離子在電場作用下被加速而射向接入負電位的基體後│◕··，即可生成薄膜☁✘▩↟╃。

　　3.2 真空離子鍍膜的特點

　　① 膜 /基結合力(附著力)強│◕··，膜層不易脫落; ② 離子鍍具有良好的繞射性│◕··，從而改善了膜層的覆蓋性;③ 鍍層質量高;④ 沉積速率高│◕··，成膜速度快│◕··，可製備30微米的厚膜;⑤ 鍍膜所適用的基體材料與膜材均比較廣泛☁✘▩↟╃。

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